ВЛИЯНИЕ АТОМОВ ЭРБИЯ, ЛАНТАНА И РОСТОВЫХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ

Аннотация

Методами нестационарной емкостной спектроскопии изучено влияние примесей эрбия, лантана и кислорода на процессы образования радиационных дефектов в кремнии. Установлено, что присутствие в Si примеси эрбия или лантана приводит к снижению эффективности образования радиационных дефектов. Показано, что концентрации как А-центров, так и Е-центров в 4-5 раз меньше в n-Si<Er> или n-Si<La>, облученном γ-квантами ⁶⁰Со по сравнению с контрольными облученными образцами. Обнаружено, что эффективность образования радиационных дефектов зависит и от содержания кислорода в кремнии.