ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ БОМБАРДИРОВКИ ИОНАМИ AR+ НА СПЕКТР ВАЛЕНТНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛА SI(111)

Авторы

  • Б.Е. Умирзаков Ташкентский государственный технический университет
  • Ё.С. Эргашов Ташкентский государственный технический университет

Аннотация

В работе исследовано влияние разупорядочения приповерхностных слоев на электронные и оптические свойства монокристаллического кремния. Анализ спектров фотоэлектронов показал, что при полной аморфизации поверхности плотность состояний валентных электронов Si существенно изменяется. В частности, положение основного максимума электронов валентной зоны Si(111) смещается на ~0.4 эВ в сторону больших энергий связи, и ширина запрещенной зоны Еg увеличивается на 0.1−0.15 эВ. Дано теоретическое обоснование полученных экспериментальных результатов. Изучено также влияние разупорядочения поверхностных слоев на оптические свойства.

Загрузки

Опубликован

2019-10-21

Как цитировать

Умирзаков, Б., & Эргашов, Ё. (2019). ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ БОМБАРДИРОВКИ ИОНАМИ AR+ НА СПЕКТР ВАЛЕНТНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛА SI(111). «Узбекский физический журнал», 21(5), 293–298. извлечено от http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/132

Выпуск

Раздел

02. Физика конденсированных сред

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)