ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ

Авторы

  • Н.Ю. Тураeв Учебный центр «ФАНУМ» АН РУз
  • М.К. Каримов Ургенчский государственный университет
  • М.К. Курбанов Ургенчский государственный университет
  • М.У. Отабоев Ургенчский государственный университет
  • У.О. Кутлиев Ургенчский государственный университет

Аннотация

Представлены энергетические распределения рассеянных ионов Ar+ в низкоиндексном направлении монокристалла InP(001) при малоугловом падении на эту поверхность. В энергетическом распределении наблюдаются пики, относящиеся к полуканалам, атомным цепочкам и дефектам. Наши результаты интересны при изучении поверхностных структур полупроводников.

Загрузки

Опубликован

2019-10-21

Как цитировать

Тураeв Н., Каримов, М., Курбанов, М., Отабоев, М., & Кутлиев, У. (2019). ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ. «Узбекский физический журнал», 21(5), 299–302. извлечено от http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/133

Выпуск

Раздел

02. Физика конденсированных сред