ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ

Н.Ю. Тураeв; М.К. Каримов; М.К. Курбанов; М.У. Отабоев; У.О. Кутлиев

ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ

Авторы

Н.Ю. Тураeв Учебный центр «ФАНУМ» АН РУз
М.К. Каримов Ургенчский государственный университет
М.К. Курбанов Ургенчский государственный университет
М.У. Отабоев Ургенчский государственный университет
У.О. Кутлиев Ургенчский государственный университет

Аннотация

Представлены энергетические распределения рассеянных ионов Ar⁺ в низкоиндексном направлении монокристалла InP(001) при малоугловом падении на эту поверхность. В энергетическом распределении наблюдаются пики, относящиеся к полуканалам, атомным цепочкам и дефектам. Наши результаты интересны при изучении поверхностных структур полупроводников.

Загрузки

Опубликован

2019-10-21

Как цитировать

Тураeв Н., Каримов, М., Курбанов, М., Отабоев, М., & Кутлиев, У. (2019). ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ. «Узбекский физический журнал», 21(5), 299–302. извлечено от http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/133