ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО КОБАЛЬТОМ

Аннотация

С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы процессы низкотемпературного отжига глубоких уровней в кремнии, легированном атомами кобальта. Показано, что в n-Si<Со> при термообработке при 300°С концентрации всех уровней значительно уменьшаются. Определены энергии активации отжига для всех наблюдаемых уровней в n-Si<Со>.