ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО КОБАЛЬТОМ

Авторы

  • Ш.Б. Утамурадова Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана
  • З.О. Олимбеков Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана

Аннотация

С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы процессы низкотемпературного отжига глубоких уровней в кремнии, легированном атомами кобальта. Показано, что в n-Si<Со> при термообработке при 300°С концентрации всех уровней значительно уменьшаются. Определены энергии активации отжига для всех наблюдаемых уровней в n-Si<Со>.

Загрузки

Опубликован

2019-10-21

Как цитировать

Утамурадова, Ш., & Олимбеков, З. (2019). ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО КОБАЛЬТОМ. «Узбекский физический журнал», 21(5), 332–334. извлечено от http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/139

Выпуск

Раздел

02. Физика конденсированных сред