ВЛИЯНИЕ БОКОВОГО РАСШИРЕНИЯ ЗАТВОРА НА КОРОТКОКАНАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАНОМЕТРОВОМ КНИ FinFET-ТРАНЗИСТОРЕ

А.Э. Абдикаримов; А. Юсупов; А.Э. Атамуратов

doi:10.52304/.v21i1.50

ВЛИЯНИЕ БОКОВОГО РАСШИРЕНИЯ ЗАТВОРА НА КОРОТКОКАНАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАНОМЕТРОВОМ КНИ FinFET-ТРАНЗИСТОРЕ

Авторы

А.Э. Абдикаримов Ургенчский государственный университет
А. Юсупов Ташкентский университет информационных технологий
А.Э. Атамуратов Ургенчский государственный университет

DOI:

https://doi.org/10.52304/.v21i1.50

Аннотация

Моделируется влияние бокового расширения затвора на пороговое напряжение и коротко- канальные эффекты в КНИ FinFET транзисторе. Рассматривается транзистор с различной формой базы. Показано, что боковое расширение приводит к уменьшению DIBL эффекта и SS. Наименьшие и наибольшие значения DIBL и SS наблюдаются для транзистора с треугольным и прямоугольным поперечными сечениями. Пороговое напряжение практически не изменяется.

Загрузки

Опубликован

2019-02-21

Как цитировать

Абдикаримов, А., Юсупов, А., & Атамуратов, А. (2019). ВЛИЯНИЕ БОКОВОГО РАСШИРЕНИЯ ЗАТВОРА НА КОРОТКОКАНАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАНОМЕТРОВОМ КНИ FinFET-ТРАНЗИСТОРЕ. «Узбекский физический журнал», 21(1), 50–52. https://doi.org/10.52304/.v21i1.50