«Узбекский физический журнал»

ВОЗМОЖНЫЕ МЕХАНИЗМЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ НОСИТЕЛЯ И ПЕРЕХОДОВ МЕТАЛЛ – ИЗОЛЯТОР В ДЫРНЫХ КУПРАТАХ

S. Dzhumanov — 2019-10-21

We study the possible mechanisms of carrier localization and metal-insulator transitions (MITs) in inhomogeneous hole-doped cuprates. We show that the insulating state of doped cuprates is different from the Mott insulating state of undoped cuprates characterized by the charge-transfer gap. The dopant- and carrier-driven inhomogeneities favor the charge segregation and ordering in the form of a three-dimensional network of carrier-rich and carrier-poor stripes. The specific charge ordering results in the formation of different superlattices and energy bands of localized carriers in inhomogeneous high-Tc cuprates. We argue that the in-gap impurity and polaronic states (bands) develop into metallic states at some critical doping levels. We use the uncertainty relation to obtain the specific conditions for the MITs in doped cuprates. The applicability limits of these MITs in cuprates are clarified. Our results are in good agreement with the existing experiments on La-based and other cuprates.

ПРИМЕНЕНИЕ ТРЕКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ CR-39 ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОБЪЕМНОЙ АКТИВНОСТИ И СКОРОСТИ ЭКСХАЛЯЦИИ РАДОНА-222 В ДОМАХ ТАШКЕНТА

А. Васидов — 2019-10-21

Целью данной работы является измерение объемной активности радона трековыми детекторами типа CR-39 в новых двух и трехэтажных домах Ташкента в зимнее и летнее время, оценка ежегодной эффективной дозы, получаемой жителями дома от радона и его дочерних продуктов распада, определение скорости эксхаляции радона с поверхности почв, строительных материалов и стен домов. Полученные результаты показали, что среднее значение объемной активности радона и соответствующая ежегодная эффективная доза в некоторых исследованных домах превышает предельно допустимую концентрацию и дозу. Значения скорости эксхаляции радона с поверхности почв, строительных материалов и стен домов находятся значительно ниже установленной нормы по радиационной безопасности.

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ ИТТЕРБИЯ НА ГЕНЕРАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР

Ш.Х. Далиев — 2019-10-21

С помощью CC-DLTS и высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовано влияние атомов иттербия на электрофизические свойства кремниевых МДП-структур. Показано, что присутствие атомов иттербия в объеме кремниевой подложки приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний МДП-структур, но не приводит к заметным изменениям распределения плотности поверхностных состояний N_ss по ширине запрещенной зоны E_g.

ГРАНУЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ КАК ПЕРСПЕКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ

Б.М. Абдурахманов — 2019-10-21

Обсуждается возможность и перспективность использования в качестве материала для изготовления преобразователей тепловой энергии гранулированного кремния, механически приведенные в соприкосновение друг с другом частицы которого представляют собой вариант двухкомпонентной среды «электронный кристалл–фононное стекло», сырьем для создания которых могут служить отходы полупроводникового производства и металлургии кремния.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ БОМБАРДИРОВКИ ИОНАМИ AR+ НА СПЕКТР ВАЛЕНТНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛА SI(111)

Б.Е. Умирзаков — 2019-10-21

В работе исследовано влияние разупорядочения приповерхностных слоев на электронные и оптические свойства монокристаллического кремния. Анализ спектров фотоэлектронов показал, что при полной аморфизации поверхности плотность состояний валентных электронов Si существенно изменяется. В частности, положение основного максимума электронов валентной зоны Si(111) смещается на ~0.4 эВ в сторону больших энергий связи, и ширина запрещенной зоны Еg увеличивается на 0.1−0.15 эВ. Дано теоретическое обоснование полученных экспериментальных результатов. Изучено также влияние разупорядочения поверхностных слоев на оптические свойства.

ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО КОБАЛЬТОМ

Ш.Б. Утамурадова — 2019-10-21

С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы процессы низкотемпературного отжига глубоких уровней в кремнии, легированном атомами кобальта. Показано, что в n-Si<Со> при термообработке при 300°С концентрации всех уровней значительно уменьшаются. Определены энергии активации отжига для всех наблюдаемых уровней в n-Si<Со>.

ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ

Н.Ю. Тураeв — 2019-10-21

Представлены энергетические распределения рассеянных ионов Ar⁺ в низкоиндексном направлении монокристалла InP(001) при малоугловом падении на эту поверхность. В энергетическом распределении наблюдаются пики, относящиеся к полуканалам, атомным цепочкам и дефектам. Наши результаты интересны при изучении поверхностных структур полупроводников.

НЕВАЛЕНТНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ НИЗШИХ ФУЛЛЕРЕНОВ С ГРАФЕНОМ

В.Г. Стельмах — 2019-10-21

Методами компьютерного моделирования исследовано невалентное взаимодействие фуллеренов C_n (n=20, 24, 26, 28, 30, 32, 36, 50, 60) с бездефектным графеном. Были получены энергии адсорбции, равновесные расстояния фуллеренов и проанализированы зависимости этих величин от количества атомов в этих фуллеренах.

ВЛИЯНИЕ ПЛОТНОСТИ ТОКА НА ВЫХОД МНОГОАТОМНЫХ НАНОЧАСТИЦ ПРИ РАСПЫЛЕНИИ МЕТАЛЛОВ ИОНАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ

Р. Курбанов — 2019-10-21

Исследованы выход атомов М₁⁺, а также многоатомных наночастиц типа М_n⁺ в зависимости от плотности тока распыленных ускоренных ионов поверхностью металлов.

АНАЛИТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ ИОННОМ, ИОННО-ПЛАЗМЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ

В.Н. Арустамов — 2019-10-21

В работе исследованы методы очистки поверхности подложек перед нанесением покрытий вакуумно-плазменными способами. Рассмотрены механический и химический способы очистки, термообработка и обработка тлеющим разрядом. Представлены ИК спектры и спектры комбинационного рассеивания (КР), полученные в результате аналитических исследований состояния поверхности образцов. На основе анализа интенсивностей ИК и КР спектров продемонстрирована зависимость степени чистоты поверхности образцов от применяемого метода очистки.

СТРУКТУРЫ КЛАСТЕРОВ SinOm +, РАСПЫЛЕННЫХ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ

С.Е. Максимов — 2019-10-21

С использованием ионного микроанализатора с двойной фокусировкой обратной геометрии исследованы кластеры Si_nO_m⁺, распыленные с поверхности Si ионами Xe⁺ при напуске кислорода на поверхность. Представлены предполагаемые структурные схемы кластерных катионов, проведено сравнение со структурами нейтралей и анионных кластеров оксида кремния.