«Узбекский физический журнал»
http://ufj.uz/index.php/ufj
<p>Учредителем научного <strong>«Узбекского физического журнала»</strong> является Академия Наук Республики Узбекистан. Журнал издается с 1957 г., перерегистрирован 22 декабря 2006 г. Информационное агентство Узбекистана (Сертификат №0044). <strong>ISSN (Print) 1025-8817, ISSN (Online) 2181-077X</strong>.</p> <p><strong>«Узбекский физический журнал» </strong>является единственным в Республике специализированным журналом в области физики и охватывает все основные направления исследований и разработок по различным направлениям физической науки: астрономия и космические исследования, физика высоких энергий и элементарных частиц, ядерная физика, физика конденсированных сред и материаловедение, оптика и спектроскопия, лазерная физика, акустика, физика поверхности и другие.</p> <p><strong>Языки издания</strong>: Русский, английский</p> <p>Индексируется в WorldCat, elibrary.ru, JINR Science and technology library, The Technische Informations bibliothek (TIB) – German national library, Online Public Access Catalog (OPAC), Государственной публичной научно-технической библиотеки СО РАН.</p>АН РУзru-RU«Узбекский физический журнал»1025-8817ВОЗМОЖНЫЕ МЕХАНИЗМЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ НОСИТЕЛЯ И ПЕРЕХОДОВ МЕТАЛЛ – ИЗОЛЯТОР В ДЫРНЫХ КУПРАТАХ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/119
<p>We study the possible mechanisms of carrier localization and metal-insulator transitions (MITs) in inhomogeneous hole-doped cuprates. We show that the insulating state of doped cuprates is different from the Mott insulating state of undoped cuprates characterized by the charge-transfer gap. The dopant- and carrier-driven inhomogeneities favor the charge segregation and ordering in the form of a three-dimensional network of carrier-rich and carrier-poor stripes. The specific charge ordering results in the formation of different superlattices and energy bands of localized carriers in inhomogeneous high-Tc cuprates. We argue that the in-gap impurity and polaronic states (bands) develop into metallic states at some critical doping levels. We use the uncertainty relation to obtain the specific conditions for the MITs in doped cuprates. The applicability limits of these MITs in cuprates are clarified. Our results are in good agreement with the existing experiments on La-based and other cuprates.</p>S. DzhumanovU.T. Kurbanov
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215273279ПРИМЕНЕНИЕ ТРЕКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ CR-39 ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОБЪЕМНОЙ АКТИВНОСТИ И СКОРОСТИ ЭКСХАЛЯЦИИ РАДОНА-222 В ДОМАХ ТАШКЕНТА
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/136
<p>Целью данной работы является измерение объемной активности радона трековыми детекторами типа CR-39 в новых двух и трехэтажных домах Ташкента в зимнее и летнее время, оценка ежегодной эффективной дозы, получаемой жителями дома от радона и его дочерних продуктов распада, определение скорости эксхаляции радона с поверхности почв, строительных материалов и стен домов. Полученные результаты показали, что среднее значение объемной активности радона и соответствующая ежегодная эффективная доза в некоторых исследованных домах превышает предельно допустимую концентрацию и дозу. Значения скорости эксхаляции радона с поверхности почв, строительных материалов и стен домов находятся значительно ниже установленной нормы по радиационной безопасности.</p>А. ВасидовС.О. Васидова
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215318324ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ ИТТЕРБИЯ НА ГЕНЕРАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/138
<p>С помощью CC-DLTS и высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовано влияние атомов иттербия на электрофизические свойства кремниевых МДП-структур. Показано, что присутствие атомов иттербия в объеме кремниевой подложки приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний МДП-структур, но не приводит к заметным изменениям распределения плотности поверхностных состояний N<sub>ss</sub> по ширине запрещенной зоны E<sub>g.</sub></p>Ш.Х. ДалиевМ.Б. Бекмуратов
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215329331ГРАНУЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ КАК ПЕРСПЕКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/134
<p>Обсуждается возможность и перспективность использования в качестве материала для изготовления преобразователей тепловой энергии гранулированного кремния, механически приведенные в соприкосновение друг с другом частицы которого представляют собой вариант двухкомпонентной среды «электронный кристалл–фононное стекло», сырьем для создания которых могут служить отходы полупроводникового производства и металлургии кремния.</p>Б.М. АбдурахмановМ.М. АдиловХ.Б. АшуровМ.Ш. Курбанов
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215303309ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ БОМБАРДИРОВКИ ИОНАМИ AR+ НА СПЕКТР ВАЛЕНТНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛА SI(111)
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/132
<p>В работе исследовано влияние разупорядочения приповерхностных слоев на электронные и оптические свойства монокристаллического кремния. Анализ спектров фотоэлектронов показал, что при полной аморфизации поверхности плотность состояний валентных электронов Si существенно изменяется. В частности, положение основного максимума электронов валентной зоны Si(111) смещается на ~0.4 эВ в сторону больших энергий связи, и ширина запрещенной зоны Еg увеличивается на 0.1−0.15 эВ. Дано теоретическое обоснование полученных экспериментальных результатов. Изучено также влияние разупорядочения поверхностных слоев на оптические свойства.</p>Б.Е. УмирзаковЁ.С. Эргашов
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215293298ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО КОБАЛЬТОМ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/139
<p>С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы процессы низкотемпературного отжига глубоких уровней в кремнии, легированном атомами кобальта. Показано, что в n-Si<Со> при термообработке при 300°С концентрации всех уровней значительно уменьшаются. Определены энергии активации отжига для всех наблюдаемых уровней в <em>n</em>-Si<Со>.</p>Ш.Б. УтамурадоваЗ.О. Олимбеков
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215332334ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/133
<p>Представлены энергетические распределения рассеянных ионов Ar<sup>+</sup> в низкоиндексном направлении монокристалла InP(001) при малоугловом падении на эту поверхность. В энергетическом распределении наблюдаются пики, относящиеся к полуканалам, атомным цепочкам и дефектам. Наши результаты интересны при изучении поверхностных структур полупроводников.</p>Н.Ю. ТураeвМ.К. КаримовМ.К. КурбановМ.У. ОтабоевУ.О. Кутлиев
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215299302НЕВАЛЕНТНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ НИЗШИХ ФУЛЛЕРЕНОВ С ГРАФЕНОМ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/130
<p>Методами компьютерного моделирования исследовано невалентное взаимодействие фуллеренов C<em><sub>n</sub></em> (<em>n</em>=20, 24, 26, 28, 30, 32, 36, 50, 60) с бездефектным графеном. Были получены энергии адсорбции, равновесные расстояния фуллеренов и проанализированы зависимости этих величин от количества атомов в этих фуллеренах.</p>В.Г. СтельмахИ.Д. ЯдгаровА.Н. УлукмурадовУ.Б. Улжаев
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215280282ВЛИЯНИЕ ПЛОТНОСТИ ТОКА НА ВЫХОД МНОГОАТОМНЫХ НАНОЧАСТИЦ ПРИ РАСПЫЛЕНИИ МЕТАЛЛОВ ИОНАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/137
<p>Исследованы выход атомов М<sub>1</sub><sup>+</sup>, а также многоатомных наночастиц типа М<sub>n</sub><sup>+</sup> в зависимости от плотности тока распыленных ускоренных ионов поверхностью металлов.</p>Р. КурбановЗ.А. ИсахановИ.О. КосимовА.С. Халматов
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215325328АНАЛИТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ ИОННОМ, ИОННО-ПЛАЗМЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/135
<p>В работе исследованы методы очистки поверхности подложек перед нанесением покрытий вакуумно-плазменными способами. Рассмотрены механический и химический способы очистки, термообработка и обработка тлеющим разрядом. Представлены ИК спектры и спектры комбинационного рассеивания (КР), полученные в результате аналитических исследований состояния поверхности образцов. На основе анализа интенсивностей ИК и КР спектров продемонстрирована зависимость степени чистоты поверхности образцов от применяемого метода очистки.</p>В.Н. АрустамовР.Х. АшуровВ.М. РотштейнХ.Б. АшуровИ.Х. Худайкулов
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215310317СТРУКТУРЫ КЛАСТЕРОВ SinOm +, РАСПЫЛЕННЫХ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ
http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/131
<p>С использованием ионного микроанализатора с двойной фокусировкой обратной геометрии исследованы кластеры Si<sub>n</sub>O<sub>m</sub><sup>+</sup>, распыленные с поверхности Si ионами Xe<sup>+</sup> при напуске кислорода на поверхность. Представлены предполагаемые структурные схемы кластерных катионов, проведено сравнение со структурами нейтралей и анионных кластеров оксида кремния.</p>С.Е. МаксимовХ.Б. АшуровМ.М. АдиловС.Ф. КоваленкоО.Ф. ТукфатуллинШ.Т. Хожиев
Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал»
2019-10-212019-10-21215283292