«Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj <p>Учредителем научного <strong>«Узбекского физического журнала»</strong> является Академия Наук Республики Узбекистан. Журнал издается с 1957 г., перерегистрирован 22 декабря 2006 г. Информационное агентство Узбекистана (Сертификат №0044). <strong>ISSN (Print) 1025-8817, ISSN (Online) 2181-077X</strong>.</p> <p><strong>«Узбекский физический журнал» </strong>является единственным в Республике специализированным журналом в области физики и охватывает все основные направления исследований и разработок по различным направлениям физической науки: астрономия и космические исследования, физика высоких энергий и элементарных частиц, ядерная физика, физика конденсированных сред и материаловедение, оптика и спектроскопия, лазерная физика, акустика, физика поверхности и другие.</p> <p><strong>Языки издания</strong>: Русский, английский</p> <p>Индексируется в WorldCat, elibrary.ru, JINR Science and technology library, The Technische Informations bibliothek (TIB) – German national library, Online Public Access Catalog (OPAC), Государственной публичной научно-технической библиотеки СО РАН.</p> ru-RU umarova_inp@mail.ru ( Умарова Феруза Таджиевна) ( ) Сб, 13 фев 2021 10:53:48 +0500 OJS 3.2.1.1 http://blogs.law.harvard.edu/tech/rss 60 ВОЗМОЖНЫЕ МЕХАНИЗМЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ НОСИТЕЛЯ И ПЕРЕХОДОВ МЕТАЛЛ – ИЗОЛЯТОР В ДЫРНЫХ КУПРАТАХ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/119 <p>We study the possible mechanisms of carrier localization and metal-insulator transitions (MITs) in inhomogeneous hole-doped cuprates. We show that the insulating state of doped cuprates is different from the Mott insulating state of undoped cuprates characterized by the charge-transfer gap. The dopant- and carrier-driven inhomogeneities favor the charge segregation and ordering in the form of a three-dimensional network of carrier-rich and carrier-poor stripes. The specific charge ordering results in the formation of different superlattices and energy bands of localized carriers in inhomogeneous high-Tc cuprates. We argue that the in-gap impurity and polaronic states (bands) develop into metallic states at some critical doping levels. We use the uncertainty relation to obtain the specific conditions for the MITs in doped cuprates. The applicability limits of these MITs in cuprates are clarified. Our results are in good agreement with the existing experiments on La-based and other cuprates.</p> S. Dzhumanov, U.T. Kurbanov Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/119 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 ПРИМЕНЕНИЕ ТРЕКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ CR-39 ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОБЪЕМНОЙ АКТИВНОСТИ И СКОРОСТИ ЭКСХАЛЯЦИИ РАДОНА-222 В ДОМАХ ТАШКЕНТА http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/136 <p>Целью данной работы является измерение объемной активности радона трековыми детекторами типа CR-39 в новых двух и трехэтажных домах Ташкента в зимнее и летнее время, оценка ежегодной эффективной дозы, получаемой жителями дома от радона и его дочерних продуктов распада, определение скорости эксхаляции радона с поверхности почв, строительных материалов и стен домов. Полученные результаты показали, что среднее значение объемной активности радона и соответствующая ежегодная эффективная доза в некоторых исследованных домах превышает предельно допустимую концентрацию и дозу. Значения скорости эксхаляции радона с поверхности почв, строительных материалов и стен домов находятся значительно ниже установленной нормы по радиационной безопасности.</p> А. Васидов, С.О. Васидова Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/136 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ ИТТЕРБИЯ НА ГЕНЕРАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/138 <p>С помощью CC-DLTS и высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовано влияние атомов иттербия на электрофизические свойства кремниевых МДП-структур. Показано, что присутствие атомов иттербия в объеме кремниевой подложки приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний МДП-структур, но не приводит к заметным изменениям распределения плотности поверхностных состояний N<sub>ss</sub> по ширине запрещенной зоны E<sub>g.</sub></p> Ш.Х. Далиев, М.Б. Бекмуратов Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/138 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 ГРАНУЛИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ КАК ПЕРСПЕКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/134 <p>Обсуждается возможность и перспективность использования в качестве материала для изготовления преобразователей тепловой энергии гранулированного кремния, механически приведенные в соприкосновение друг с другом частицы которого представляют собой вариант двухкомпонентной среды «электронный кристалл–фононное стекло», сырьем для создания которых могут служить отходы полупроводникового производства и металлургии кремния.</p> Б.М. Абдурахманов, М.М. Адилов, Х.Б. Ашуров, М.Ш. Курбанов Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/134 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ БОМБАРДИРОВКИ ИОНАМИ AR+ НА СПЕКТР ВАЛЕНТНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛА SI(111) http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/132 <p>В работе исследовано влияние разупорядочения приповерхностных слоев на электронные и оптические свойства монокристаллического кремния. Анализ спектров фотоэлектронов показал, что при полной аморфизации поверхности плотность состояний валентных электронов Si существенно изменяется. В частности, положение основного максимума электронов валентной зоны Si(111) смещается на ~0.4 эВ в сторону больших энергий связи, и ширина запрещенной зоны Еg увеличивается на 0.1−0.15 эВ. Дано теоретическое обоснование полученных экспериментальных результатов. Изучено также влияние разупорядочения поверхностных слоев на оптические свойства.</p> Б.Е. Умирзаков, Ё.С. Эргашов Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/132 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО КОБАЛЬТОМ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/139 <p>С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы процессы низкотемпературного отжига глубоких уровней в кремнии, легированном атомами кобальта. Показано, что в n-Si&lt;Со&gt; при термообработке при 300°С концентрации всех уровней значительно уменьшаются. Определены энергии активации отжига для всех наблюдаемых уровней в <em>n</em>-Si&lt;Со&gt;.</p> Ш.Б. Утамурадова, З.О. Олимбеков Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/139 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/133 <p>Представлены энергетические распределения рассеянных ионов Ar<sup>+</sup> в низкоиндексном направлении монокристалла InP(001) при малоугловом падении на эту поверхность. В энергетическом распределении наблюдаются пики, относящиеся к полуканалам, атомным цепочкам и дефектам. Наши результаты интересны при изучении поверхностных структур полупроводников.</p> Н.Ю. Тураeв, М.К. Каримов, М.К. Курбанов, М.У. Отабоев, У.О. Кутлиев Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/133 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 НЕВАЛЕНТНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ НИЗШИХ ФУЛЛЕРЕНОВ С ГРАФЕНОМ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/130 <p>Методами компьютерного моделирования исследовано невалентное взаимодействие фуллеренов C<em><sub>n</sub></em> (<em>n</em>=20, 24, 26, 28, 30, 32, 36, 50, 60) с бездефектным графеном. Были получены энергии адсорбции, равновесные расстояния фуллеренов и проанализированы зависимости этих величин от количества атомов в этих фуллеренах.</p> В.Г. Стельмах, И.Д. Ядгаров, А.Н. Улукмурадов, У.Б. Улжаев Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/130 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 ВЛИЯНИЕ ПЛОТНОСТИ ТОКА НА ВЫХОД МНОГОАТОМНЫХ НАНОЧАСТИЦ ПРИ РАСПЫЛЕНИИ МЕТАЛЛОВ ИОНАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/137 <p>Исследованы выход атомов М<sub>1</sub><sup>+</sup>, а также многоатомных наночастиц типа М<sub>n</sub><sup>+</sup> в зависимости от плотности тока распыленных ускоренных ионов поверхностью металлов.</p> Р. Курбанов, З.А. Исаханов, И.О. Косимов, А.С. Халматов Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/137 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 АНАЛИТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ ИОННОМ, ИОННО-ПЛАЗМЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/135 <p>В работе исследованы методы очистки поверхности подложек перед нанесением покрытий вакуумно-плазменными способами. Рассмотрены механический и химический способы очистки, термообработка и обработка тлеющим разрядом. Представлены ИК спектры и спектры комбинационного рассеивания (КР), полученные в результате аналитических исследований состояния поверхности образцов. На основе анализа интенсивностей ИК и КР спектров продемонстрирована зависимость степени чистоты поверхности образцов от применяемого метода очистки.</p> В.Н. Арустамов, Р.Х. Ашуров, В.М. Ротштейн, Х.Б. Ашуров, И.Х. Худайкулов Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/135 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500 СТРУКТУРЫ КЛАСТЕРОВ SinOm +, РАСПЫЛЕННЫХ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/131 <p>С использованием ионного микроанализатора с двойной фокусировкой обратной геометрии исследованы кластеры Si<sub>n</sub>O<sub>m</sub><sup>+</sup>, распыленные с поверхности Si ионами Xe<sup>+</sup> при напуске кислорода на поверхность. Представлены предполагаемые структурные схемы кластерных катионов, проведено сравнение со структурами нейтралей и анионных кластеров оксида кремния.</p> С.Е. Максимов, Х.Б. Ашуров, М.М. Адилов, С.Ф. Коваленко, О.Ф. Тукфатуллин, Ш.Т. Хожиев Copyright (c) 2021 «Узбекский физический журнал» http://ufj.uz/index.php/ufj/article/view/131 Пн, 21 окт 2019 00:00:00 +0500