INVESTIGATION OF DEFECT INP(001) SURFACE BY THE METHOD OF LOW ENERGY ION SCATTERING

M. Karimov; U. Kutliev; M. Otaboev

doi:10.52304/.v21i6.142

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ДЕФЕКТА INP (001) МЕТОДОМ РАССЕЯНИЯ ИОНОВ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ

Авторы

M. Karimov Department of Physics of Urganch State University
U. Kutliev Department of Physics of Urganch State University
M. Otaboev Department of Physics of Urganch State University

DOI:

https://doi.org/10.52304/.v21i6.142

Аннотация

Исследовано малоугловое рассеяние ионов Ar⁺ и Xe⁺ с начальной энергией 3 кэВ дефектной поверхностью InP(001). Компьютерное моделирование на основе приближения бинарных столкновений позволяет проводить количественный анализ данных. Установлено, что энергетические распределения рассеянных ионов напрямую зависят от дефектной структуры верхнего поверхностного слоя, и эти дефекты образуют пики в малоэнергетической части спектра.

Загрузки

Опубликован

2019-12-21

Как цитировать

Karimov, M., Kutliev, U., & Otaboev, M. (2019). ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ДЕФЕКТА INP (001) МЕТОДОМ РАССЕЯНИЯ ИОНОВ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ. «Узбекский физический журнал», 21(6), 356–361. https://doi.org/10.52304/.v21i6.142