Ультразвуковое воздействие на генерационно-рекомбинационные свойства межфазной границы МДП структур

Авторы

  • Б.X. Кучкаров Наманганский государственный университет
  • O.O. Маматкаримов Наманганский инженерно-технологический институт

DOI:

https://doi.org/10.52304/.v22i5.195

Ключевые слова:

ультразвуковое облучение, С-V характеристики, локализованные состояния, релаксация, генерация носителей, диэлектрические потери, межфазные границы, изотермическая релаксация емкости.

Аннотация

Исследовано влияние ультразвукового воздействия на плотность электронных состояний, локализованных на межфазной границе раздела Si-стекло. Предложена методика определения величин скоростей поверхностной и объемной генерации носителей заряда, используя расчётную временную зависимость ширины области пространственного заряда (ОПЗ) при сравнении её с экспериментальной зависимостью. Ультразвуковая обработка структур Al-n-Si-стекло-Al частотой 2.5 мГц, мощностью 0.5 Вт в течение 40 минут приводит к уменьшению скорости формирования заряда инверсионного слоя. Это обусловлено уменьшением интегральной плотности электронных состояний, локализованных на межфазной границе полупроводник-стекло и не влияет на энергетический спектр объемных электронных состояний в полупроводнике.

Загрузки

Опубликован

2019-10-10

Как цитировать

Кучкаров, Б., & Маматкаримов O. . (2019). Ультразвуковое воздействие на генерационно-рекомбинационные свойства межфазной границы МДП структур. «Узбекский физический журнал», 22(5), 302–307. https://doi.org/10.52304/.v22i5.195

Выпуск

Раздел

02. Физика конденсированных сред