ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ КОЛЕБАНИЯМИ РЕШЕТКИ И ТЕПЛОВЫМ УШИРЕНИЕМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ
DOI:
https://doi.org/10.52304/.v20i1.21Аннотация
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. В приближении метода эффективной массы определяется изменение ширины запрещенной зоны за счет взаимодействия электронов с колебаниями решетки и теплового уширения энергетических уровней. Результаты теории сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что для объяснения зависимости ширины запрещенной зоны необходимо учитывать вклад термического уширения энергетических уровней. Установлено, что полное изменение ширины запрещенной зоны определяется как взаимодействием электронов с колебаниями решетки, так и тепловым уширением уровней энергии в разрешенных зонах.