ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ КОЛЕБАНИЯМИ РЕШЕТКИ И ТЕПЛОВЫМ УШИРЕНИЕМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ

Авторы

  • Г. Гулямов Наманганский инженерно-строительный институт
  • А.Г. Гулямов Физико-технический институт АН РУз
  • Н.Ю. Шарибаев Наманганский инженерно-технологический институт
  • У.И. Эркабоев Наманганский инженерно-технологический институт

DOI:

https://doi.org/10.52304/.v20i1.21

Аннотация

Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. В приближении метода эффективной массы определяется изменение ширины запрещенной зоны за счет взаимодействия электронов с колебаниями решетки и теплового уширения энергетических уровней. Результаты теории сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что для объяснения зависимости ширины запрещенной зоны необходимо учитывать вклад термического уширения энергетических уровней. Установлено, что полное изменение ширины запрещенной зоны определяется как взаимодействием электронов с колебаниями решетки, так и тепловым уширением уровней энергии в разрешенных зонах.

Загрузки

Опубликован

2018-01-21

Как цитировать

Гулямов, Г., Гулямов, А. ., Шарибаев, Н., & Эркабоев, У. (2018). ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ КОЛЕБАНИЯМИ РЕШЕТКИ И ТЕПЛОВЫМ УШИРЕНИЕМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ . «Узбекский физический журнал», 20(1), 9–17. https://doi.org/10.52304/.v20i1.21

Выпуск

Раздел

06. Молекулярная физика и теплофизика

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)