Омический контакт для n-4H-SiC
DOI:
https://doi.org/10.52304/.v25i2.419Ключевые слова:
4H-SiC, омический контакт, термическая обработка, барьер ШотткиАннотация
В работе исследован омический контакт для n-4H-SiC. Показано, что при термической
обработке в вакуумной установке при температуре 700°С в образцах образуется барьер
Шоттки, а при температуре 950°С атомы никеля начинают активно диффундировать в
глубь кристалла, что приводит к исчезновению резкой границы металл-полупроводник и
соответственно к исчезновению барьера Шоттки. Определено удельное сопротивление
никелевых омических контактов, полученных для n-4H-SiC. Самое низкое удельное сопротивление омического контакта составило порядка 1.76×10−5 Ом·см.
Загрузки
Опубликован
2023-06-25
Как цитировать
Жураев, Х., Хажиев, М., Давлатов, . А., Абдулазизов, . Б., & Атабаев, Б. (2023). Омический контакт для n-4H-SiC. «Узбекский физический журнал», 25(2). https://doi.org/10.52304/.v25i2.419
Выпуск
Раздел
02. Физика конденсированных сред
