Формирование диэлектрических подложек для магнетрон-ного осаждения силицидных покрытий
DOI:
https://doi.org/10.52304/.v25i4.469Ключевые слова:
термическое оксидирование, тонкое покрытие, ширина запрещенной зоны, термический отжиг, электрическое поле, отражение светаАннотация
Рост оксидных слоев различных диэллектриков на поверхности кремния осуществляют при высокой температуре (1150-1200) по цельсию в атмосфере сухого кислорода O2. Цвет покрытия определяется его толщиной и показателем преломления. При наблюдении света, отраженного под прямым углом (перпендикулярный свет), с учетом того что показатель преломления SiO2 равен 1.46, цветовые оттенки покрытия повторяются по всему спектру от фиолетового до темно-красного через 160-240 нм. SiO2 показывает значительный статистический разброс значений напряжения пробоя (от 15 В до 190 В и выше). Ширина запрещенной зоны с использованием закона отражения (HR-4000) находится в диапазоне от 1.14 до 2.36 эВ. Исследования на IRTracer-100 указывают на образование химической связи между Si-O. Расчеты показали, что напряжённость поля, достаточная для электрического пробоя диоксида кремния, находится в пределах 5 10 5 -5 10 6 В/см.
