Влияние тонкого слоя InAs на энергию электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs
DOI:
https://doi.org/10.52304/.v25i4.474Ключевые слова:
квантовая яма, пространственное квантование, AlAs/InXGа1-xAs/AlAs, нанослой InAs, непараболичная дисперсия, модель Кейна, двухбарьерная структура, резонансно-туннельный диод, резонансно-туннельный транзисторАннотация
В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.
Загрузки
Опубликован
2024-01-17
Как цитировать
Байматов, П. ., Абдулазизов, Б. ., & Тохиржонов, М. (2024). Влияние тонкого слоя InAs на энергию электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs. «Узбекский физический журнал», 25(4). https://doi.org/10.52304/.v25i4.474
Выпуск
Раздел
01. Теоретическая и математическая физика. Моделирование физических процессов
