Структурныe, морфологические и электрофизические свойства пленок Sb2Se3, полученныx при различных температурах источника селена

Аннотация

Методом химического молекулярно-пучкового осаждения (ХМПО) получены пленки Sb₂Se₃ из отдельных источников бинарного соединения Sb₂Se₃ и элемента Se при температуре подложки 500°С. На рентгенограммах наблюдаются основные сильные пики (221), (211) и вторичные слабые пики (020), (120) и (310), которые заметно изменяются при изменении температуры Se. При температуре источника селена 430°С на поверхности пленок Sb₂Se₃ можно наблюдать крупные зерна размером более 4 мкм, кроме того, появляются стержнеобразные зерна Sb₂Se₃ . Получено, что пленки Sb₂Se₃ Se-дефицитны при температуре источника селена 350°C, при дальнейшем увеличении температуры приближаются к стехиометрическому составу. Показано, что близкие к стехиометрическому составу пленки Sb₂Se₃ с отношением Sb/Se 0.68 получаются при температуре источника селена 430°С. Удельные электропроводности пленок Sb₂Se₃ колеблются впределах σ=9×10⁻⁵ −6×10⁻⁴ (Ом·см)⁻¹ в зависимости от технологического режима.