ВЛИЯНИЕ БОКОВОГО РАСШИРЕНИЯ ЗАТВОРА НА КОРОТКОКАНАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАНОМЕТРОВОМ КНИ FinFET-ТРАНЗИСТОРЕ
DOI:
https://doi.org/10.52304/.v21i1.50Аннотация
Моделируется влияние бокового расширения затвора на пороговое напряжение и коротко- канальные эффекты в КНИ FinFET транзисторе. Рассматривается транзистор с различной формой базы. Показано, что боковое расширение приводит к уменьшению DIBL эффекта и SS. Наименьшие и наибольшие значения DIBL и SS наблюдаются для транзистора с треугольным и прямоугольным поперечными сечениями. Пороговое напряжение практически не изменяется.
Загрузки
Опубликован
2019-02-21
Как цитировать
Абдикаримов, А., Юсупов, А., & Атамуратов, А. (2019). ВЛИЯНИЕ БОКОВОГО РАСШИРЕНИЯ ЗАТВОРА НА КОРОТКОКАНАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАНОМЕТРОВОМ КНИ FinFET-ТРАНЗИСТОРЕ. «Узбекский физический журнал», 21(1), 50–52. https://doi.org/10.52304/.v21i1.50
Выпуск
Раздел
02. Физика конденсированных сред